Использование полупроводников в оптоэлектронных устройствах столкнулось с проблемой излишней громоздкости. Для фотоэлементов солнечных панелей использование тонкой пленки и относительно толстого слоя полупроводников существенно увеличивает стоимость. В других электронных девайсах, массивные слои полупроводниковых материалов еще более проблемны из-за диссонанса с имеющимся стремлением к компактности размеров гаджетов.
В двух независимых исследовательских проектах ученые постарались решить возникшую проблему. В Университете Северной Каролины разработали компьютерную модель, демонстрирующую, что новый дизайн улучшит показатели способности поглощать свет полупроводниками. В другом исследовании команды Университета Баффало была разработана стратегия, позволяющая увеличить непосредственные способности самих полупроводников поглощать свет использованием нанотехнологий.
Разработка Университета Северной Каролина создавалась для получения максимального эффекта поглощения при помощи исследований в области изменения формы тонких пленок на полупроводниках. Учеными использовались технологии захвата света, чтобы определить внутренние максимальные показатели полупроводниковых материалов поглощать энергию света. В результате удалось уменьшить толщину слоя аморфного кремния со 100 нм, актуальных для современных устройств, до 10 нм.
Во втором исследовании американские ученые в сотрудничестве с двумя китайскими университетами постарались максимально сократить толщину тонких пленок полупроводников при помощи использования эффекта интерференции в нанопустотах. Результатом двухлетних экспериментов стало определение наибольшей эффективности полупроводников, покрытых напылением из золота. Данный вариант показал наилучшую способность поглощать свет, но, очевидно, является слишком дорогим для внедрения в жизнь. Сейчас работы продолжаются для поиска оптимальных вариантов с использованием менее дорогих металлов, таких как алюминий.